0 Item(s)
0 Item(s)
Toshiba Semiconductor and Storage
| အပိုင်းအရေအတွက် | TK1K2A60F,S4X | ထုတ်လုပ်သူ | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| ဖေါ်ပြချက် | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- | အခမဲ့အခြေအနေ / RoHS အဆင့်အတန်းကိုပို့ဆောငျ | အခမဲ့ / RoHS ကိုက်ညီဦးဆောင်လမ်းပြ |
| ရရှိနိုင်သောအရေအတွက် | 113830 pcs | အချက်အလက်စာရွက် | TK1K2A60F,S4X.pdf |
| Id @ Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) | 4V @ 630µA | Vgs (မက်စ်) | ±30V |
| နည်းပညာ | MOSFET (Metal Oxide) | ပေးသွင်း Device ကိုပက်ကေ့ | TO-220SIS |
| စီးရီး | U-MOSIX | Id, Vgs @ (မက်စ်) တွင် Rds | 1.2 Ohm @ 3A, 10V |
| ပါဝါကိုလွန်ကျူး (မက်စ်) | 35W (Tc) | ထုပ်ပိုး | Tube |
| package / ဖြစ်ရပ်မှန် | TO-220-3 Full Pack | အခြားအမည်များ | TK1K2A60F,S4X(S TK1K2A60FS4X TK1K2A60FS4X(S |
| Operating အပူချိန် | 150°C | mounting အမျိုးအစား | Through Hole |
| အစိုဓာတ်ကိုထိခိုက်လွယ်မှုအဆင့် (MSL) | Not Applicable | အခမဲ့အခြေအနေ / RoHS အဆင့်အတန်းကိုပို့ဆောငျ | Lead free / RoHS Compliant |
| Vds @ input capacitive (Ciss) (မက်စ်) | 740pF @ 300V | Vgs @ ဂိတ်တာဝန်ခံ (Qg) (မက်စ်) | 21nC @ 10V |
| FET အမျိုးအစား | N-Channel | FET Feature ကို | - |
| Drive ကိုဗို့အား (မက်စ် Rds တွင်, အောင်မင်း Rds တွင်) | 10V | အရင်းအမြစ်ဗို့အား (Vdss) ကိုစစ်ထုတ်ဖို့အတွက် | 600V |
| အသေးစိတ်ဖျေါပွခကျြ | N-Channel 600V 6A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS | လက်ရှိ - အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (ID) ကို 25 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ | 6A (Ta) |
| FedEx | www.FedEx.com | $ 35.00 မှသဘောင်္ပို့ဆောင်ခသည်ဇုန်နှင့်နိုင်ငံအပေါ်မူတည်သည်။ |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | $ 35.00 မှသဘောင်္ပို့ဆောင်ခသည်ဇုန်နှင့်နိုင်ငံအပေါ်မူတည်သည်။ |
| ယူပီအက်စ် | www.UPS.com | $ 35.00 မှသဘောင်္ပို့ဆောင်ခသည်ဇုန်နှင့်နိုင်ငံအပေါ်မူတည်သည်။ |
| TNT | www.TNT.com | $ 35.00 မှသဘောင်္ပို့ဆောင်ခသည်ဇုန်နှင့်နိုင်ငံအပေါ်မူတည်သည်။ |
